EUV光刻，终成主角！
EUV到底有多火，可能很多人没有概念。
在光刻机巨头ASML发布的2023年第三季度的报告中，EUV光刻机的预定额为5亿欧元，而到了第四季度，预定额陡然增加到了56亿欧元，整整翻了十倍之多。
要知道，这部分订购的光刻机大部分都不会在2024年内交付，至少要等到2025年，但包括台积电、三星和英特尔等巨头依旧只能乖乖交钱买期货，原因很简单，就是ASML目前仍然是蓝星上唯一一家能够量产EUV光刻机的厂商。
对于半导体行业来说，技术领先就意味着能赚钱，而独占了EUV这一重要市场后，就意味着ASML能有源源不断的收入：根据国外 MarketsandMarkets 的最新报告，EUV 光刻市场预计将从 2023 年的 94 亿美元增至 2028 年的 253 亿美元，2023-2028 年期间复合年增长率为21.8 %。
作为对比，ASML在2023年的总营收为276亿欧元，折合近300亿美元，五年后，光是EUV就能撑起ASML现在大半年的营收，在可预见的未来，不管是3nm、2nm、1nm或是更先进制程，它们都需要用到ASML所生产的EUV光刻机，台积电这样的代工厂赚得越多，ASML数钱就数得越开心。
对于传统的DUV，EUV的优势是显而易见的：
在生产方面，由于EUV光刻技术可以在单个芯片上封装更多的晶体管，因此可以以更低的成本批量生产芯片；在性能方面，采用EUV光刻技术生产的芯片具有更强的处理能力，能耗更低，性能更高；在工艺方面，与多重图案化相比，EUV 可减少掩模数量，打印更多的二维设计，从而在工艺简化方面带来巨大优势；
对于有志于先进制程的晶圆厂来说，EUV具备极大的吸引力，但上述这几个优势，却花费了数十年的时间，穷尽了无数人的努力，才终于来到我们面前。
EUV的故事，还要从20 世纪 80 年代中期的日本讲起。
上世纪80年代的半导体光刻仍然依赖于汞灯，整个行业正在寻找更先进的光刻办法，希望利用波长更短的光来延续摩尔定律，让芯片的性能更进一步，而当时还在日本电报电话公司(NTT)供职的木下博夫，在工作时萌生了EUVL（极紫外光刻）的想法。
为了实现EUVL，木下博夫开始寻找更短波长的 X 射线，但问题也逐步浮现，其中包括缺乏能够聚焦 X 射线用于光刻的透镜或镜子。而在此时，他看到了 Jim Underwood 和 Troy Barbee的一篇论文，报告中描述了第一个波长为 10 至 100 nm（我们现在称为 EUV）的多层反射镜。
与掠射角反射镜相比，多层反射镜是一个巨大的进步，当时唯一可用于较短波长 X 射线的就是掠射角反射镜，而多层反射镜更进一步，为 EUV 波长的光刻技术铺好了道路。木下博夫成功实现了 EUV 中图像的首次聚焦，并在 1986 年日本应用物理学会的一次会议上报告了他的成就。
与大部分人想象的不同，EUV的初次登场没有鲜花没有掌声，迎来的却是一片质疑， “不幸的是，观众对我的演讲高度怀疑，” 木下博夫后来在一次有关 EUV 光刻技术出现的特邀演讲中说道，“但是，我的信念没有改变。”
木村博夫如今已被公认为是EUV光刻技术的奠基人，当时的他大概没想到，EUV光刻日后需要耗费三十多年时间、数十亿美元资金以及数千名工程师和科学家的努力来实现落地，最终成为摩尔定律的最坚定的捍卫者。
虽然NTT 不看好EUV，选择押宝在其他光刻技术，但公司本身并没有阻止木村的研究，1993 年，木村组织了一次有关EUV技术的美日会议，吸引了约 50 名研究人员参加，并由此建立了两国之间在EUV光刻技术上的联系。
“摩尔定律遇到了麻烦，”伯克利国家实验室的David Attwood说，“英特尔指望走在摩尔定律的最前沿，以高价销售其产品。” 当时193 nm 氟化氩激光器已经开始用于光刻技术的开发，但DUV（深紫外光）光刻技术似乎已经走到了尽头，对于英特尔来说，无法继续缩小芯片几何尺寸，就意味着芯片性能难以继续提升，也意味着半导体行业发展的停滞，整个业界都对未来感到焦虑不安。
转折点出现在英特尔研究总监John Carruthers身上，他对英特尔未来的选择进行了审视，并得出结论，想要摩尔定律延续的唯一途径，就是在一个全行业项目上投入十亿美元，来开发EUV光刻这项技术。
当John Carruthers向英特尔高层提出这一方案时，安迪·格鲁夫（Andy Grove）愤怒地拍着桌子，但戈登·摩尔（Gordon Moore）却颇感兴趣，最终让格鲁夫也按下了同意投资的按钮。
这位摩尔定律的提出者在一次行业会议上宣布：“英特尔来了……我们正在下注，我们希望您加入我们。”
